casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1613KV18-300BZXC
codice articolo del costruttore | CY7C1613KV18-300BZXC |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1613KV18-300BZXC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1613KV18-300BZXC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 144Mb (8M x 18) |
Frequenza di clock | 300MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1613KV18-300BZXC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1613KV18-300BZXC-FT |
S29GL512S10DHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS50
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS60
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS63
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFAR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel