casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S10DHSS63
codice articolo del costruttore | S29GL512S10DHSS63 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512S10DHSS63 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S10DHSS63 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S10DHSS63 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S10DHSS63-FT |
S29GL01GS11DHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064S80DHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S10DHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S11DHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S10DHAV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S10DHAV23
Cypress Semiconductor Corp
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel