casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S10DHSS43
codice articolo del costruttore | S29GL512S10DHSS43 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512S10DHSS43 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S10DHSS43 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S10DHSS43 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S10DHSS43-FT |
S29GL01GS11DHB010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S11DHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHIV20
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S29GL01GT10DHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064S80DHIV10
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S29GL01GT10DHI020
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S29GL128S10DHIV20
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S29GL01GS11DHI010
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S29GL01GS11DHIV10
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