casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1512KV18-300BZXI
codice articolo del costruttore | CY7C1512KV18-300BZXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1512KV18-300BZXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1512KV18-300BZXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frequenza di clock | 300MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1512KV18-300BZXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1512KV18-300BZXI-FT |
CY7C25682KV18-400BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312KV18-300BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1319KV18-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1314KV18-250BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C25652KV18-400BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2263KV18-550BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1314KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1413KV18-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1413KV18-250BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C25632KV18-550BZXI
Cypress Semiconductor Corp
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel