casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1319KV18-250BZXC
codice articolo del costruttore | CY7C1319KV18-250BZXC |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1319KV18-250BZXC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1319KV18-250BZXC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 18Mb (1M x 18) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1319KV18-250BZXC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1319KV18-250BZXC-FT |
S34ML02G200TFI503
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G204TFI013
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFI900
Cypress Semiconductor Corp
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation