casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1312KV18-300BZXI
codice articolo del costruttore | CY7C1312KV18-300BZXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1312KV18-300BZXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1312KV18-300BZXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 18Mb (1M x 18) |
Frequenza di clock | 300MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1312KV18-300BZXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1312KV18-300BZXI-FT |
S34ML02G200TFI500
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200TFI503
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G204TFI013
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFI003
Cypress Semiconductor Corp
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel