casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1418JV18-300BZC
codice articolo del costruttore | CY7C1418JV18-300BZC |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1418JV18-300BZC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1418JV18-300BZC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frequenza di clock | 300MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1418JV18-300BZC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1418JV18-300BZC-FT |
CY7C1612KV18-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1612KV18-300BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1612KV18-333BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1618KV18-333BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1620KV18-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1620KV18-333BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1625KV18-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1625KV18-333BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1643KV18-400BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1648KV18-400BZXC
Cypress Semiconductor Corp
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel