casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1620KV18-333BZXI
codice articolo del costruttore | CY7C1620KV18-333BZXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1620KV18-333BZXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1620KV18-333BZXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 144Mb (4M x 36) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1620KV18-333BZXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1620KV18-333BZXI-FT |
S29AL016J55FFA023
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFM023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11DFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFBR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFBR23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI010
Cypress Semiconductor Corp