casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1612KV18-300BZXI
codice articolo del costruttore | CY7C1612KV18-300BZXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1612KV18-300BZXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1612KV18-300BZXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 144Mb (8M x 18) |
Frequenza di clock | 300MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1612KV18-300BZXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1612KV18-300BZXI-FT |
S29GL512T10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11DFIV22
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10DHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFA023
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFM023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11DFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DAI010
Cypress Semiconductor Corp
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel