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codice articolo del costruttore | CVH252009-4R7M |
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Numero di parte futuro | FT-CVH252009-4R7M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CVH252009 |
CVH252009-4R7M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 110 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 25MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CVH252009-4R7M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CVH252009-4R7M-FT |
CW160808-2N2D
Bourns Inc.
CW160808-33NG
Bourns Inc.
CW160808-39NG
Bourns Inc.
CW160808-39NJ
Bourns Inc.
CW160808-3N9K
Bourns Inc.
CW160808-47NG
Bourns Inc.
CW160808-47NJ
Bourns Inc.
CW160808-4N7D
Bourns Inc.
CW160808-4N7K
Bourns Inc.
CW160808-56NG
Bourns Inc.
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation