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codice articolo del costruttore | CW160808-33NG |
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Numero di parte futuro | FT-CW160808-33NG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CW160808 |
CW160808-33NG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Alumina |
Induttanza | 33nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 600mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 220 mOhm |
Q @ Freq | 35 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 2.3GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 250MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.065" L x 0.041" W (1.65mm x 1.05mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW160808-33NG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CW160808-33NG-FT |
CW201212-39NJ
Bourns Inc.
CW201212-R15J
Bourns Inc.
CW201212-R33J
Bourns Inc.
CW201212-10NJ
Bourns Inc.
CW201212-12NJ
Bourns Inc.
CW201212-18NJ
Bourns Inc.
CW201212-22NG
Bourns Inc.
CW201212-2N7J
Bourns Inc.
CW201212-33NJ
Bourns Inc.
CW201212-39NG
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel