casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CW160808-4N7D
codice articolo del costruttore | CW160808-4N7D |
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Numero di parte futuro | FT-CW160808-4N7D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CW160808 |
CW160808-4N7D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Alumina |
Induttanza | 4.7nH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 700mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 100 mOhm |
Q @ Freq | 16 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 5.8GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 250MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.065" L x 0.041" W (1.65mm x 1.05mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW160808-4N7D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CW160808-4N7D-FT |
CW201212-22NG
Bourns Inc.
CW201212-2N7J
Bourns Inc.
CW201212-33NJ
Bourns Inc.
CW201212-39NG
Bourns Inc.
CW201212-3N3J
Bourns Inc.
CW201212-3N9J
Bourns Inc.
CW201212-47NG
Bourns Inc.
CW201212-4N7J
Bourns Inc.
CW201212-56NJ
Bourns Inc.
CW201212-5N6J
Bourns Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel