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codice articolo del costruttore | CVH252009-2R2M |
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Numero di parte futuro | FT-CVH252009-2R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CVH252009 |
CVH252009-2R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 40MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CVH252009-2R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CVH252009-2R2M-FT |
CW160808-27NJ
Bourns Inc.
CW160808-2N2D
Bourns Inc.
CW160808-33NG
Bourns Inc.
CW160808-39NG
Bourns Inc.
CW160808-39NJ
Bourns Inc.
CW160808-3N9K
Bourns Inc.
CW160808-47NG
Bourns Inc.
CW160808-47NJ
Bourns Inc.
CW160808-4N7D
Bourns Inc.
CW160808-4N7K
Bourns Inc.
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel