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Vishay Siliconix SISF00DN-T1-GE3

Name: SISF00DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF00DN-T1-GE3
Price: 0.557992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (369 reviews)

Numero parte MFG: SISF00DN-T1-GE3

quantità disponibile: 79820 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.557992

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® Gen IV MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SISF00DN-T1-GE3.pdf

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SISF00DN-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SISF00DN-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SISF00DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SISF00DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 15V
Potenza - Max	69.4W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8SCD
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8SCD
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISF00DN-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SISF00DN-T1-GE3-FT

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