casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD25404Q3T
codice articolo del costruttore | CSD25404Q3T |
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Numero di parte futuro | FT-CSD25404Q3T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD25404Q3T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 104A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2120pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 96W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25404Q3T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD25404Q3T-FT |
TPWR8503NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XP162A12A6PR-G
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