casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / XP162A12A6PR-G
codice articolo del costruttore | XP162A12A6PR-G |
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Numero di parte futuro | FT-XP162A12A6PR-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XP162A12A6PR-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89 |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XP162A12A6PR-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XP162A12A6PR-G-FT |
TPCC8003-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8005-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8006-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8A01-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH12008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R005PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R403NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel