casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / XP162A12A6PR-G
codice articolo del costruttore | XP162A12A6PR-G |
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Numero di parte futuro | FT-XP162A12A6PR-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XP162A12A6PR-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89 |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XP162A12A6PR-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XP162A12A6PR-G-FT |
TPCC8003-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8005-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8006-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8A01-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH12008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R005PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R403NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.