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codice articolo del costruttore | TPWR8503NL,L1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TPWR8503NL,L1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPWR8503NL,L1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.85 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DSOP Advance |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPWR8503NL,L1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPWR8503NL,L1Q-FT |
TPCC8002-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8003-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8005-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8006-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8A01-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH12008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R005PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel