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Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8503NL,L1Q

Numero parte MFG
TPWR8503NL,L1Q
quantità disponibile
64490 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.1648
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TPWR8503NL,L1Q specificazioni

codice articolo del costruttore TPWR8503NL,L1Q
Numero di parte futuro FT-TPWR8503NL,L1Q
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVIII-H
TPWR8503NL,L1Q Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.85 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta), 142W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DSOP Advance
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPWR8503NL,L1Q Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TPWR8503NL,L1Q-FT

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