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Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8503NL,L1Q

Name: TPWR8503NL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPWR8503NL,L1Q
Price: 1.1648 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (281 reviews)

Numero parte MFG: TPWR8503NL,L1Q

quantità disponibile: 64490 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.1648

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPWR8503NL,L1Q.pdf

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TPWR8503NL,L1Q specificazioni

codice articolo del costruttore	TPWR8503NL,L1Q
Numero di parte futuro	FT-TPWR8503NL,L1Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVIII-H
TPWR8503NL,L1Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	150A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.85 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6900pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta), 142W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DSOP Advance
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPWR8503NL,L1Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPWR8503NL,L1Q-FT

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