casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CS1D-E3/I
codice articolo del costruttore | CS1D-E3/I |
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Numero di parte futuro | FT-CS1D-E3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CS1D-E3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 6pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CS1D-E3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CS1D-E3/I-FT |
VSSAF3N50-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5N50-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFK-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFM-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel