casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CMS30I30A(TE12L,QM
codice articolo del costruttore | CMS30I30A(TE12L,QM |
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Numero di parte futuro | FT-CMS30I30A(TE12L,QM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMS30I30A(TE12L,QM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 82pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-128 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M-FLAT (2.4x3.8) |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMS30I30A(TE12L,QM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMS30I30A(TE12L,QM-FT |
UFT3130C
Microsemi Corporation
MF10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8KTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8MTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
STTH20P035FP
STMicroelectronics
JAN1N4148UB
Microsemi Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel