casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MF10H100HE3_A/P
codice articolo del costruttore | MF10H100HE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-MF10H100HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MF10H100HE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MF10H100HE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MF10H100HE3_A/P-FT |
D2201N45TXPSA1
Infineon Technologies
D2601N85TXPSA1
Infineon Technologies
D2601N90TXPSA1
Infineon Technologies
D2601NH90TXPSA1
Infineon Technologies
D291S45TXPSA1
Infineon Technologies
D3001N60T
Infineon Technologies
D3001N65T
Infineon Technologies
D3001N68TXPSA1
Infineon Technologies
D3040N68T
Infineon Technologies
D3041N60TXPSA1
Infineon Technologies
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel