casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / CMPD1001S TR
codice articolo del costruttore | CMPD1001S TR |
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Numero di parte futuro | FT-CMPD1001S TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMPD1001S TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 90V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMPD1001S TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMPD1001S TR-FT |
MBR200100CTS
GeneSiC Semiconductor
MBR120100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR120100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR120150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR120150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR120200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR120200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR12020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR12020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR12040CTR
GeneSiC Semiconductor
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation