casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR120200CTR
codice articolo del costruttore | MBR120200CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR120200CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR120200CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR120200CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR120200CTR-FT |
MBR400200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR400200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CTR
GeneSiC Semiconductor
XC2V4000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6F17C8L
Intel
XC6VLX550T-1FFG1759I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19I7N
Intel
5CEFA7U19C8N
Intel
EPF10K100EBC356-2N
Intel
EP1S80F1020C5N
Intel
EP20K1500EFC33-3
Intel