casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR120200CTR
codice articolo del costruttore | MBR120200CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR120200CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR120200CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR120200CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR120200CTR-FT |
MBR400200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR400200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CTR
GeneSiC Semiconductor
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel