casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR12040CTR
codice articolo del costruttore | MBR12040CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR12040CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR12040CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR12040CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR12040CTR-FT |
MBR40020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR500100CT
GeneSiC Semiconductor
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel