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codice articolo del costruttore | CM200DY-28H |
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Numero di parte futuro | FT-CM200DY-28H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IGBTMOD™ |
CM200DY-28H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1400V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 1500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.2V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 40nF @ 10V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM200DY-28H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CM200DY-28H-FT |
BSM300GA120DN2HOSA1
Infineon Technologies
BSM300GA170DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM300GA170DN2HOSA1
Infineon Technologies
BSM300GB120DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM300GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM30GD60DLCBOSA1
Infineon Technologies
BSM30GD60DLCE3224
Infineon Technologies
BSM30GP60BOSA1
Infineon Technologies
BSM35GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies
BSM35GD120DLCE3224BOSA1
Infineon Technologies
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel