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codice articolo del costruttore | CIL10Y5R6KNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIL10Y5R6KNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIL10 |
CIL10Y5R6KNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 5.6µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 5mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.55 Ohm Max |
Q @ Freq | 35 @ 4MHz |
Frequenza - Autorisonante | 22MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 4MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.037" (0.95mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIL10Y5R6KNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIL10Y5R6KNC-FT |
CIG21L2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel