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codice articolo del costruttore | CIG21W2R2MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIG21W2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG21W |
CIG21W2R2MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 810mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 200 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21W2R2MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG21W2R2MNE-FT |
CIG22L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FG256A
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50EFC484-1
Intel
5SGXEA7K2F40I2LN
Intel
XC6SLX16-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C4N
Intel
5SGXEA3H3F35C3N
Intel