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codice articolo del costruttore | CIG21LR47MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIG21LR47MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG21L |
CIG21LR47MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 80 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21LR47MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG21LR47MNE-FT |
CIG22LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010EH4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010EH4R7SNE
Samsung Electro-Mechanics
AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-1N
Intel
XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel