casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIH03Q8N2JNC
codice articolo del costruttore | CIH03Q8N2JNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH03Q8N2JNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH03Q |
CIH03Q8N2JNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 8.2nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 190mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 570 mOhm Max |
Q @ Freq | 13 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 4.3GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q8N2JNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH03Q8N2JNC-FT |
CIL10Y120MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGW160808XMR47MLC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10F1R0MAC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10F1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10F1R5MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10F2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10FR47MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10W1R5MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10W3R3MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT160806UM1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel