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codice articolo del costruttore | CIH03Q2N7SNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH03Q2N7SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH03Q |
CIH03Q2N7SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.7nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 310mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 220 mOhm Max |
Q @ Freq | 17 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 9.1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0201 (0603 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.013" (0.33mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q2N7SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH03Q2N7SNC-FT |
CIGT201210UH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UH1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT1608R6EH1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10WR27MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10W1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10W2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT160808XMR24MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10W4R7MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10WR47MNC
Samsung Electro-Mechanics
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel