casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIG10W1R0MNC
codice articolo del costruttore | CIG10W1R0MNC |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CIG10W1R0MNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG10W |
CIG10W1R0MNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 950mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 200 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG10W1R0MNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG10W1R0MNC-FT |
CIGT201610LHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GHR33MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GHR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GH4R7MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EHR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
XC2S15-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation