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codice articolo del costruttore | CIG10W2R2MNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIG10W2R2MNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG10W |
CIG10W2R2MNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 750mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 300 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG10W2R2MNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG10W2R2MNC-FT |
CIGT201610LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GHR33MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GHR47MLE
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CIGT201610LMR24MNE
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CIGW201610GH4R7MLE
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CIGT201608EHR47SNE
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CIGT201608EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C2LN
Intel
XC4006E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8820ARC208-2
Intel
EP1S40F1020C6
Intel