casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIGT201610LMR68MNE
codice articolo del costruttore | CIGT201610LMR68MNE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CIGT201610LMR68MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610LMR68MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 680nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.7A |
Corrente - Saturazione | 3.8A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 53 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610LMR68MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201610LMR68MNE-FT |
CIG22L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
AT6010A-2AU
Microchip Technology
LCMXO256C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C80F484I7
Intel
10CX150YU484E5G
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
XC4VFX40-11FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation