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codice articolo del costruttore | CIGT252008LMR47MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT252008LMR47MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT252008LMR47MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.2A |
Corrente - Saturazione | 5.5A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 29 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252008LMR47MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT252008LMR47MNE-FT |
CIH05Q82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q8N2JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q91NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR12JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR15JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR27JNC
Samsung Electro-Mechanics
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel