casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIGT252008LMR47MNE
codice articolo del costruttore | CIGT252008LMR47MNE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CIGT252008LMR47MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT252008LMR47MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.2A |
Corrente - Saturazione | 5.5A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 29 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252008LMR47MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT252008LMR47MNE-FT |
CIH05Q82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q8N2JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q91NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR12JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR15JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR27JNC
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel