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codice articolo del costruttore | CI201210-22NJ |
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Numero di parte futuro | FT-CI201210-22NJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CI201210 |
CI201210-22NJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 22nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 15 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1.1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 100°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CI201210-22NJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CI201210-22NJ-FT |
CM252016-330KL
Bourns Inc.
CM252016-33NKL
Bourns Inc.
CM252016-390KL
Bourns Inc.
CM252016-39NKL
Bourns Inc.
CM252016-3R3KL
Bourns Inc.
CM252016-3R9JL
Bourns Inc.
CM252016-3R9KL
Bourns Inc.
CM252016-470KL
Bourns Inc.
CM252016-47NKL
Bourns Inc.
CM252016-4R7KL
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel