casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CDSV-21-G
codice articolo del costruttore | CDSV-21-G |
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Numero di parte futuro | FT-CDSV-21-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDSV-21-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDSV-21-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDSV-21-G-FT |
1PS59SB20,115
NXP USA Inc.
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR43
ON Semiconductor
BAR74E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS 16 B5003
Infineon Technologies
BAS 40 B5003
Infineon Technologies
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation