casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAL99E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BAL99E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAL99E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAL99E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 70V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAL99E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAL99E6327HTSA1-FT |
DSEP8-03AS
IXYS
FFD06UP20S
ON Semiconductor
FFD08S60S-F085
ON Semiconductor
FFD20UP20S
ON Semiconductor
GDP03S060C
Global Power Technologies Group
GP2D005A120C
Global Power Technologies Group
GP2D006A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A120C
Global Power Technologies Group
RD0106T-TL-H
ON Semiconductor
RD0504T-P-TL-H
ON Semiconductor
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation