casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS 40 B5003
codice articolo del costruttore | BAS 40 B5003 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS 40 B5003 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS 40 B5003 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 120mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ps |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS 40 B5003 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS 40 B5003-FT |
GP2D005A120C
Global Power Technologies Group
GP2D006A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A120C
Global Power Technologies Group
RD0106T-TL-H
ON Semiconductor
RD0504T-P-TL-H
ON Semiconductor
RD0504T-TL-H
ON Semiconductor
RD0506T-TL-H
ON Semiconductor
RHRD660S9A_NL
ON Semiconductor
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel