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CDM22010-650 SL Image

Central Semiconductor Corp CDM22010-650 SL

Numero parte MFG
CDM22010-650 SL
quantità disponibile
22860 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.688
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Data di spedizione
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fabbricante
Central Semiconductor Corp
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 10A 650V TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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CDM22010-650 SL specificazioni

codice articolo del costruttore CDM22010-650 SL
Numero di parte futuro FT-CDM22010-650 SL
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
CDM22010-650 SL Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (massimo) 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1168pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 156W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CDM22010-650 SL Peso Contattaci
Numero parte di ricambio CDM22010-650 SL-FT

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