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Diodes Incorporated DMN2022UFDF-13

Numero parte MFG
DMN2022UFDF-13
quantità disponibile
72070 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.121592
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMN2022UFDF-13 specificazioni

codice articolo del costruttore DMN2022UFDF-13
Numero di parte futuro FT-DMN2022UFDF-13
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN2022UFDF-13 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 8V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 907pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 660mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2022UFDF-13 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN2022UFDF-13-FT

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