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Diodes Incorporated DMN2011UFDF-7

Name: DMN2011UFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2011UFDF-7
Price: 0.1524 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (783 reviews)

Numero parte MFG: DMN2011UFDF-7

quantità disponibile: 26340 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.1524

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN2011UFDF-7.pdf

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DMN2011UFDF-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN2011UFDF-7
Numero di parte futuro	FT-DMN2011UFDF-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN2011UFDF-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2248pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	U-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2011UFDF-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN2011UFDF-7-FT

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