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codice articolo del costruttore | CDBGBSC20650-G |
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Numero di parte futuro | FT-CDBGBSC20650-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBGBSC20650-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 33A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 650V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBGBSC20650-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDBGBSC20650-G-FT |
PD412211
Powerex Inc.
PD412411
Powerex Inc.
PN410611
Powerex Inc.
PN410811
Powerex Inc.
PN411011
Powerex Inc.
PN411211
Powerex Inc.
PN411411
Powerex Inc.
PN411611
Powerex Inc.
PN411811
Powerex Inc.
PN412011
Powerex Inc.
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-3
Intel
5SGXEABN2F45I3LN
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152I
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CPG196C
Xilinx Inc.