casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / PN410811
codice articolo del costruttore | PN410811 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PN410811 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PN410811 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 1200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 3000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200mA @ 800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POW-R-BLOK™ Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PN410811 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PN410811-FT |
SET031004
Semtech Corporation
SET031011
Semtech Corporation
SET031012
Semtech Corporation
SET031023
Semtech Corporation
SET040103
Semtech Corporation
SET040104
Semtech Corporation
SET040111
Semtech Corporation
SET040112
Semtech Corporation
SET040123
Semtech Corporation
SET040204
Semtech Corporation
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel