casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / PN410811
codice articolo del costruttore | PN410811 |
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Numero di parte futuro | FT-PN410811 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PN410811 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 1200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 3000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200mA @ 800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POW-R-BLOK™ Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PN410811 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PN410811-FT |
SET031004
Semtech Corporation
SET031011
Semtech Corporation
SET031012
Semtech Corporation
SET031023
Semtech Corporation
SET040103
Semtech Corporation
SET040104
Semtech Corporation
SET040111
Semtech Corporation
SET040112
Semtech Corporation
SET040123
Semtech Corporation
SET040204
Semtech Corporation
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel