casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / PN410611
codice articolo del costruttore | PN410611 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PN410611 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PN410611 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 1200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 3000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200mA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POW-R-BLOK™ Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PN410611 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PN410611-FT |
SET031003
Semtech Corporation
SET031004
Semtech Corporation
SET031011
Semtech Corporation
SET031012
Semtech Corporation
SET031023
Semtech Corporation
SET040103
Semtech Corporation
SET040104
Semtech Corporation
SET040111
Semtech Corporation
SET040112
Semtech Corporation
SET040123
Semtech Corporation
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel