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Comchip Technology CDBGBSC101200-G

Numero parte MFG
CDBGBSC101200-G
quantità disponibile
48990 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 5.586
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Data di spedizione
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fabbricante
Comchip Technology
Breve descrizione
- DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
CDBGBSC101200-G.pdf
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CDBGBSC101200-G specificazioni

codice articolo del costruttore CDBGBSC101200-G
Numero di parte futuro FT-CDBGBSC101200-G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
CDBGBSC101200-G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode
Diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) 18A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 5A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1200V
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CDBGBSC101200-G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio CDBGBSC101200-G-FT

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