casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CD214C-F3600
codice articolo del costruttore | CD214C-F3600 |
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Numero di parte futuro | FT-CD214C-F3600 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CD214C-F3600 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMC (DO-214AB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD214C-F3600 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CD214C-F3600-FT |
BAS40/DG/B2,215
Nexperia USA Inc.
BAS40/ZLR
Nexperia USA Inc.
BAS516,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS516,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS85 L0
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS85 L1
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS85-L0 L0
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS85-L0 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS85-L0 L1
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS85-L0 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel