casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS85-L0 L1G
codice articolo del costruttore | BAS85-L0 L1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAS85-L0 L1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS85-L0 L1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS85-L0 L1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS85-L0 L1G-FT |
5819SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5822SMG/TR13
Microsemi Corporation
62-0209PBF
Infineon Technologies
62-0216PBF
Infineon Technologies
62-0239PBF
Infineon Technologies
62-0245PBF
Infineon Technologies
62-0253PBF
Infineon Technologies
62-0254PBF
Infineon Technologies
70UR60G BK R
Vishay Semiconductor Opto Division
75HQ035
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel