casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CD214C-F3200
codice articolo del costruttore | CD214C-F3200 |
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Numero di parte futuro | FT-CD214C-F3200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CD214C-F3200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMC (DO-214AB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD214C-F3200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CD214C-F3200-FT |
BAS316/DG/B3,135
Nexperia USA Inc.
BAS40-13-F
Diodes Incorporated
BAS40-7-F-31
Diodes Incorporated
BAS40/DG/B2,215
Nexperia USA Inc.
BAS40/ZLR
Nexperia USA Inc.
BAS516,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS516,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS85 L0
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS85 L1
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS85-L0 L0
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel