casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CD-MBL106SL
codice articolo del costruttore | CD-MBL106SL |
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Numero di parte futuro | FT-CD-MBL106SL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CD-MBL106SL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Chip, Concave Terminals |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD-MBL106SL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CD-MBL106SL-FT |
GBU2502-G
Comchip Technology
GBU2504-G
Comchip Technology
GBU2508-G
Comchip Technology
GBU4005-G
Comchip Technology
GBU401-G
Comchip Technology
GBU402-G
Comchip Technology
GBU404-G
Comchip Technology
GBU406-G
Comchip Technology
GBU408-G
Comchip Technology
GBU410-G
Comchip Technology
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel