casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU410-G
codice articolo del costruttore | GBU410-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBU410-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU410-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU410-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU410-G-FT |
DF005S-G
Comchip Technology
DF005-G
Comchip Technology
CDBHM160L-HF
Comchip Technology
CDBHM1100L-HF
Comchip Technology
BR5010L-G
Comchip Technology
BR5010-G
Comchip Technology
BR1010SG-G
Comchip Technology
BR1006SG-G
Comchip Technology
BR10005SG-G
Comchip Technology
BR1002SG-G
Comchip Technology
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
EP4SGX360NF45I4
Intel
A42MX16-1TQG176
Microsemi Corporation
EPF10K10AQI208-3
Intel