casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU2502-G
codice articolo del costruttore | GBU2502-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBU2502-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU2502-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU2502-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU2502-G-FT |
DF204ST-G
Comchip Technology
DF204S-G
Comchip Technology
DF204-G
Comchip Technology
DF10S-G
Comchip Technology
DF10-G
Comchip Technology
DF06S-G
Comchip Technology
DF06-G
Comchip Technology
DF04S-G
Comchip Technology
DF04-G
Comchip Technology
DF005S-G
Comchip Technology
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel